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VISHAY傳感器通過其Siliconix公司之附屬公司單產提升,帶領(lǐng)著整個行業(yè)的可提高電源管理電路在終產(chǎn)品的效率便利性,同時空間要求的功率半導體產(chǎn)品的開發(fā)。 作為品牌的低電壓功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的行動力,日前提供有力支撐,Vishay Siliconix公司產(chǎn)品在制造手持式和便攜式電子系統(tǒng)的小型化,輕量化的電池組更有效地運作了關(guān)鍵作用保供。 高電壓日前自行開發,Vishay Siliconix功率MOSFET用于從電機控制在工業(yè)系統(tǒng)中的應用程序中,使通信網(wǎng)絡的交換機和路由器的電源轉(zhuǎn)換責任。 日前應用情況,Vishay Siliconix功率集成電路解決市場,從移動通信和計算的固定電信基礎(chǔ)設施組建,其中包括開關(guān)模式穩(wěn)壓器表現,線性穩(wěn)壓器和電源管理器件。 許多設備深刻變革,建立在化的工藝流程結論,是特制的醫(yī)療,汽車和軍用市場搖籃。
VISHAY溫度傳感器熱電偶傳感技術,熱電偶由兩個不同材料的金屬線組成,在末端焊接在一起推動。再測出不加熱部位的環(huán)境溫度相對較高,就可以準確知道加熱點的溫度。由于它必須有兩種不同材質(zhì)的導體信息,所以稱之為熱電偶相關。不同材質(zhì)做出的熱電偶使用于不同的溫度范圍,它們的靈敏度也各不相同豐富內涵。熱電偶的靈敏度是指加熱點溫度變化1℃時生產效率,輸出電位差的變化量不同需求。對于大多數(shù)金屬材料支撐的熱電偶而言,這個數(shù)值大約在5~40微伏/℃之間保持穩定。[1]由于熱電偶VISHAY溫度傳感器的靈敏度與材料的粗細無關(guān)總之,用非常細的材料也能夠做成VISHAY溫度傳感器。也由于制作熱電偶的金屬材料具有很好的延展性支撐作用,這種細微的測溫元件有*的響應速度研學體驗,可以測量快速變化的過程。
VISHAY溫度傳感器多種類型的結(jié)構(gòu)可以把這種膨脹的變化轉(zhuǎn)換成位置的變化最為突出,這樣產(chǎn)生位置的變化輸出(電位計落實落細、感應偏差、擋流板等等)高效化。
KIS-1:50KN,100KN,200KN,300KN,500KN精度0.03%製高點項目;KIS-2:1KN,2KN,5KN,10KN,20KN,30KN精度0.05%;KIS-3:1KN,2KN,5KN,10KN,20KN範圍和領域;精度0.02%有所增加;KIS-8:1KN,2KN,5KN,10KN,20KN,50kn,100kn,200kn精度0.075%;KIS-9:5kn,10KN,20KN,50KN,100KN精度0.1%KIS-11:50KN精度0.02%更高要求;KIS-12:50KN精度0.05%KIM-1:200KN精度0.1%KIMD-1:500KN,800KN精度0.1%KISD-6:50kn,100kn,200kn,400KN,1MN精度0.1%KOM-1:10kn,20kn,50kn,100kn,200kn精度0.5%KOSD-40:10kn,20kn,50kn,100kn,200kn精度1.0%KOSD:1MN,2MN精度1.0%KIP-1:10kn,20KN精度0.1%TU-2:20kn精度0.1%